삼성전자 HBM3E 12H D램 제품 이미지 [제공=삼성전자]

삼성전자의 지난해 4분기 D램 점유율이 2016년 3분기 이후 최대치를 기록했다. 시장조사업체 옴디아에 따르면 삼성전자의 작년 4분기 D램 점유율은 45.7%로 선두를 차지했다. 이는 2016년 3분기(48.2%) 이후 가장 높은 수준이다.

삼성전자 점유율은 전 분기(38.7%) 대비 7%포인트 증가하면서 SK하이닉스와의 점유율 격차도 14%포인트로 벌렸다. 한편 2위 SK하이닉스와 3위 마이크론의 D램 점유율은 각각 31.7%, 19.1%로 집계됐다.

삼성전자는 업계 최초로 36GB(기가바이트) HBM3E(5세대 HBM) 12H(High, 12단 적층) D램 개발에 성공했다. 삼성전자는 24Gb(기가비트) D램 칩을 TSV(실리콘 관통 전극) 기술로 12단까지 적층해 업계 최대 용량인 36GB HBM3E 12H를 구현했다. HBM3E 12H는 초당 최대 1,280GB의 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB을 제공한다.

이는 성능과 용량 모두 전작인 HBM3(4세대 HBM) 8H(8단 적층) 대비 50% 이상 개선됐다. HBM3E 12H는 1,024개의 입출력 통로(I/O)에서 초당 최대 10Gb를 속도를 지원한다. 초당 1,280GB를처리할 수 있어 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 40여편을 업(다운)로드 할 수 있다.

정부가 올해 한시적으로 반도체 고대역폭메모리(HBM) 기술과 관련한 시설투자에 최대 25%의 세액공제를 적용하기로 했다. 기획재정부가 지난 27일 발표한 ‘2023년 세법 개정 후속 시행규칙 개정안’에는 이러한 내용이 담겼다.

국가전략기술 사업화시설의 범위를 확대하면서 HBM 등 차세대 메모리 반도체 설계·제조 기술과 관련된 시설에 대한 투자는 일반 시설에 비해 높은 15%(중소기업은 25%)의 세액공제를 받을 수 있다.

미국 마이크론이 26일(현지시각) 올해 2분기 출시 예정인 엔비디아의 H200 GPU에 탑재될 HBM3E(24GB 8단) 양산을 시작했다고 밝혔다. 마이크론은 자사 제품의 전력 효율이 경쟁사 대비 최대 30% 낮다고 설명했다. 다만 업계에서는 다소 회의적인 시각도 나온다. 이번 발표만으로는 아직 마이크론의 수율을 알 수 없다는 이유에서다. 아울러 생산 능력도 경쟁사 대비 낮다는 지적도 존재한다.

반도체 모임인 필라델피아반도체지수가 1% 이상 상승했다. 필라델피아반도체지수는 26일(현지시각) 뉴욕증시에서 전 거래일 대비 1.05% 상승한 4663.47포인트를 기록했다.

특히 미국의 대표 D램 업체 마이크론 테크놀로지는 HBM3E(24GB 8단) 양산을 시작했다는 공식 발표에 4% 이상 급등하면서 52주 신고가를 경신했다. 이날 마이크론은 전 거래일 대비 4.02% 상승한 89.46달러를 기록했다.

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