[픽사베이]

D램익스체인지에 따르면 지난 24일 오후 9시 기준 PC용 D램 범용제품 DDR4 8Gb(1Gx8) 3200의 평균 현물가격은 3.066달러를 기록했다.

김선우 메리츠증권 연구원은 “일부 SK하이닉스 칩 중심 가격 상승이 있었으나 구매자들이 가격을 수용하려는 의지가 부족했다”며 “전반적 시장 가격 흐름은 혼조세”라고 진단했다.

삼성전자가 초거대 인공지능(AI) 시대를 주도할 차세대 메모리 솔루션을 선보였다.

삼성전자는 20일(현지시간) 미국 실리콘밸리 맥에너리 컨벤션센터에서 글로벌 정보통신(IT) 고객과 파트너 등 600여명이 참석한 가운데 ‘메모리 테크 데이’를 열고 초고성능 HBM3E D램인 ‘샤인볼트’(Shinebolt)를 처음 공개했다. 고대역폭 메모리 HBM은 다수의 D램을 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 제품이다.

‘샤인볼트’는 용량이 전작의 1.5배 수준으로, 초당 최대 1.2테라바이트(TB) 이상의 데이터 처리가 가능하다. 이는 1초에 30기가바이트(GB) 용량의 UHD 영화 40편을 처리할 수 있는 속도다. 전력 효율은 10% 향상됐다. 현재 삼성전자는 4세대 제품인 HBM3 8단과 12단 제품을 양산 중으로 HBM3E도 고객에게 샘플을 전달 중인 것으로 전해졌다. 다만 양산 일정은 밝히지 않은 상태다.

반도체 모임인 필라델피아반도체지수가 엔비디아가 개인용컴퓨터(PC) 칩 시장에도 진출한다는 소식에도 무기력한 모습을 보였다. 23일(현지시간) 뉴욕증시에서 필라델피아반도체지수는 전 거래일보다 0.53% 하락한 3298.54포인트를 기록했다.

엔비디아를 제외한 다수의 반도체주가 하락하면서 필라델피아반도체지수가 약세로 전환했다. 반도체 강자로 불리는 인텔의 경우 엔비디아의 PC칩 시장 진출 소식에 3% 넘게 떨어졌다. 외에도 제2의 엔비디아로 불리는 AMD가 1.77%, 대만의 TSMC가 0.22% 하락하면서 필라델피아반도체지수를 끌어내렸다.

미국 반도체 기업 ‘온세미’가 경기도 부천에 세계 최대 규모의 전력반도체용 실리콘카바이드(SiC) 웨이퍼 생산라인을 완공했다. 온세미는 24일 부천사업장에서 SiC 웨이퍼 제조시설인 ‘S5 라인’ 준공식을 열고 연간 100만개 이상의 200㎜ SiC 웨이퍼를 제조하겠단 목표를 밝혔다.

150㎜ 웨이퍼 생산으로 시작해 2025년 200㎜ SiC 공정이 인증되면 200㎜로 전환할 예정이다.

하산 엘 코우리 온세미 최고경영자(CEO) 겸 대표이사는 “부천의 150mm·200mm SiC 웨이퍼 팹은 완전히 통합된 SiC 공급망의 지속적인 성공에 있어 매우 중요하다”며 “이를 통해 우리는 전 세계 전기화의 가속화를 지원할 것”이라고 말했다.

메모리반도체 업황이 개선세에 진입 했다는 분석이 나왔다. 한국은행은 23일 국회 기획재정위원회 제출한 ‘2023년 업무현황 보고서’를 통해 “반도체 경기가 지난해 하반기 이후 크게 부진했지만 최근 들어 회복 조짐을 보이고 있다”고 분석했다.

특히 올해 9월 들어서는 반도체 가격이 소폭 오름세를 보였다고 진단했다. 실제 반도체 경기의 선행지표인 D램 현물가격은 지난 9월 3.4% 올라 1년 6개월여 만에 상승 전환했다.

특히 한국은행은 그동안 반도체 업황의 발목을 잡아 온 악성 ‘재고’가 내년부터 조정에 들어설 것으로 내다봤다. 한국은행은 “고성능 메모리 반도체 수요가 빠르게 확대되는 추세”라며 “반도체 재고도 내년 상반기 조정이 마무리될 것”이라고 전망했다.